可以實(shí)現(xiàn)2個(gè)通道同步測(cè)試，搭配旋轉(zhuǎn)環(huán)盤電極（RRDE）使用。
● 不僅僅是雙恒電位儀；
● 雙通道電化學(xué)工作站，各通道獨(dú)立測(cè)試，性價(jià)比高
● 經(jīng)典應(yīng)用：盤環(huán)電極測(cè)試（RRDE）、氫擴(kuò)散測(cè)試（HDT）
● 全浮地模式，性價(jià)比高
● 電壓控制范圍：±10V，槽壓為±21V
● 電流控制范圍：±1.0A
● 電位分辨率：10μV，電流分辨率：1pA（可延伸至100fA）
產(chǎn)品介紹
CS2350M雙恒電位儀內(nèi)置兩套恒電位/恒電流儀，每套恒電位儀各有一套輔助、工作和參比電極輸出，并完全由CS Studio測(cè)試軟件來(lái)協(xié)調(diào)輸出電位/電流，CS2350M是真正意義上的雙通道電化學(xué)工作站。
具體應(yīng)用于： 1. 雙通道獨(dú)立使用，可同時(shí)進(jìn)行兩組常規(guī)電化學(xué)測(cè)試；
2.雙通道組合使用，可用于電化學(xué)分析四電極工作體系，尤其在氧還原（ORR）中間產(chǎn)物收集、金屬氫擴(kuò)散測(cè)試有廣泛應(yīng)用。
技術(shù)優(yōu)勢(shì) CS2350M雙恒電位儀不僅具有CS單通道系列高精度、寬量程以及強(qiáng)大的數(shù)據(jù)分析處理功能，而且在原有產(chǎn)品的基礎(chǔ)上創(chuàng)新突破。 CS2350M雙通道硬件設(shè)計(jì)可以實(shí)現(xiàn)兩組實(shí)驗(yàn)體系的測(cè)試要求，同時(shí)，軟件的組合編程功能大大提高了實(shí)驗(yàn)的效率。
典型案例：
1. 雙通道獨(dú)立測(cè)試
使用專用的電池測(cè)試夾，配合軟件的組合編程功能，給電池能源領(lǐng)域的用戶帶來(lái)更高效、更智能的測(cè)試體驗(yàn)。
2.配合旋轉(zhuǎn)環(huán)盤電極（RRDE）用于研究氧化還原體系： 在測(cè)量圓盤電極極化曲線的同時(shí)，將環(huán)電壓設(shè)置為恒電位，控制圓環(huán)電極在固定的極化電勢(shì)，用以檢測(cè)圓盤電極上產(chǎn)生的反應(yīng)中間物，該方法也成為檢測(cè)反應(yīng)中間物和研究電極反應(yīng)機(jī)理的典型流體動(dòng)力學(xué)方法。
3. 金屬中氫擴(kuò)散測(cè)試： 兩個(gè)恒電位裝置配合Devnathan-Stachurski 雙電解池，通過(guò)左側(cè)電解池的陰極充氫和右側(cè)電解的氫原子陽(yáng)極氧化電流測(cè)量，進(jìn)而計(jì)算氫原子在金屬中擴(kuò)散系數(shù)和氫通量。
技術(shù)指標(biāo)
硬件參數(shù)指標(biāo)
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雙恒電位儀：
單恒電位電位控制范圍：±10V，雙恒電位儀電位控制范圍:±10V |
恒電流控制范圍：±1A |
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電位控制精度：0.1%×滿量程讀數(shù)±1mV |
電流控制精度：0.1%×滿量程讀數(shù) |
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電位靈敏度：10μV(>100Hz), 3μV(<10Hz) |
電流靈敏度：1pA |
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電位上升時(shí)間：＜1μs(<10mA),＜10μs(<2A) |
電流量程：2A～2nA, 共10檔 |
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參比電極輸入阻抗：1012Ω||20pF |
最大輸出電流：1A |
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槽壓輸出：±21V |
電流掃描增量：1mA @1A/mS |
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CV和LSV掃描速度：0.001mV～10,000V/s |
電位掃描電位增量：0.076mV @1V/mS |
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CA和CC脈沖寬度：0.0001～65,000s |
DPV和NPV脈沖寬度：0.0001～1000s |
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SWV頻率：0.001～100KHz |
CV的最小電位增量：0.075mV |
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AD數(shù)據(jù)采集：16bit@1MHz，20bit @1kHz |
電流與電位量程：自動(dòng)設(shè)置 |
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DA分辨率：16bit，建立時(shí)間：1μS |
低通濾波器 ：8段可編程 |
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通訊接口：網(wǎng)口 |
儀器凈重：7.5Kg |
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外形尺寸（cm）：36.5(W)X30.5 (D)X16 (H) |
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電化學(xué)阻抗測(cè)量指標(biāo)
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信號(hào)發(fā)生器 |
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頻率響應(yīng)：10μHz～1MHz |
交流信號(hào)幅值：1mV～2500mV |
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頻率精確度：0.005% |
信號(hào)分辨率：0.1mV RMS |
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DDS輸出阻抗：50Ω |
直流偏壓：-10V～+10V |
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正弦波失真率：<1% |
波形：正弦波，三角波，方波 |
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掃描方式：對(duì)數(shù)/線性，增加/下降 |
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信號(hào)分析器 |
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最大積分時(shí)間：106個(gè)循環(huán)或者105S |
測(cè)量時(shí)間延遲：0～105秒 |
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最小積分時(shí)間：10mS 或者一個(gè)循環(huán)的最長(zhǎng)時(shí)間 |
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直流偏置補(bǔ)償 |
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電位補(bǔ)償范圍：-10V～+10V |
電流補(bǔ)償范圍：-1A～+1A |
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帶寬調(diào)整：自動(dòng)或手動(dòng)設(shè)置, 共8級(jí)可調(diào) |
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配置
1）儀器主機(jī)1臺(tái)
2）CS Studio測(cè)試與分析軟件1套
3）模擬電解池1個(gè)
4）電源線、網(wǎng)線各1條
5）電極電纜線2條
6）電腦（選配*）
功能方法 穩(wěn)態(tài)極化
開(kāi)路電位測(cè)量（OCP）、恒電位極化（i-t曲線）、恒電流極化、動(dòng)電位掃描（TAFEL曲線）、動(dòng)電流掃描（DGP）
暫態(tài)極化 任意恒電位階梯波、任意恒電流階梯波、恒電位階躍（VSTEP）、恒電流階躍（ISTEP）
計(jì)時(shí)分析
計(jì)時(shí)電位法（CP）、計(jì)時(shí)電流法（CA）、計(jì)時(shí)電量法（CC）
伏安分析
線性掃描伏安法（LSV）、線性循環(huán)伏安法（CV）、階梯循環(huán)伏安法（SCV）、方波伏安法（SWV）、差分脈沖伏安法（DPV）、常規(guī)脈沖伏安法（NPV）、常規(guī)差分脈沖伏安法（DNPV）、差分脈沖電流檢測(cè)法（DPA）、雙差分脈沖電流檢測(cè)法（DDPA）、三脈沖電流檢測(cè)法（TPA）、積分脈沖電流檢測(cè)法（IPAD）、交流伏安法（ACV）、二次諧波交流伏安（SHACV）、傅立葉變換交流伏安（FTACV）
溶出伏安 恒電位溶出伏安、線性溶出伏安、階梯溶出伏安、方波溶出伏安、差分脈沖溶出伏安、常規(guī)脈沖溶出伏安、常規(guī)差分脈沖溶出伏安、交流溶出伏安
交流阻抗
頻率掃描-電位控制模式（EIS-V） 、 頻率掃描-電流控制模式（EIS-I） 、 電位掃描（IMPE,Mott-Schotty) 、 時(shí)間掃描-電位控制模式、 時(shí)間掃描-電流控制模式
腐蝕測(cè)量 循環(huán)極化曲線（CPP）、線性極化曲線（LPR）、動(dòng)電位再活化法（EPR)、電化學(xué)噪聲（EN）、電偶腐蝕測(cè)量（ZRA）、氫擴(kuò)散測(cè)試
電池測(cè)試 電池充放電測(cè)試、恒電流充放電、恒電位充放電、恒電位間歇滴定技術(shù)（PITT）、恒電流間歇滴定技術(shù)（GITT）
雙恒測(cè)量 氫擴(kuò)散測(cè)試（HDT）、盤環(huán)電極測(cè)試（RRDE）、法拉第效率測(cè)試（FET）
擴(kuò)展測(cè)量
盤環(huán)電極測(cè)試、數(shù)字記錄儀、波形發(fā)生器、圓盤電機(jī)控制、其它外設(shè)擴(kuò)展端口（定制）
實(shí)驗(yàn)室純水機(jī)、超純水機(jī)
實(shí)驗(yàn)室離心機(jī)
